Фотоэмиссионный анализ излучения основан на зависимости распределения фотоэлектронов внешнего фотоэффекта по энергиям от распределения фотонов в спектре излучения. Экспериментально решена обратная некорректно поставленная задача восстановления сплошных и линейчатых спектров чисто электронным способом без применения каких-либо оптических средств. Излучение объекта используется в телесном угле вплоть до 2?, световые потоки 10-8-10-10Вт. Идентификация монохроматического излучения фото- и катодолюминесценции слоистых эпитаксиальных полупроводниковых структур позволила за счет увеличения контраста в растровом электронном микроскопе обнаружить и определить состав слоев при уровне световых потоков ~10-10 Вт. Анализ теплового излучения позволяет измерять интегральную цветовую температуру объекта с временным разрешением 10 -6с при методической погрешности измерений ~0,3%. Рассмотрены требования, предъявляемые к датчику для выполнения фотоэмиссионного анализа излучения.
Табл. 12. Ил. 91. Библиогр.: 108 назв.

Каспаров, К.Н. Фотоэмиссионный анализ оптического излучения. — Минск : Беларус. навука, 2011. — 171 с.
ISBN 978-985-08-1251-3.